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神奇的闪存走向辉煌未来 |
伴随着技术的发展，各种性能更高、容量更大、成本更便宜的闪存（Flash 内存）不仅将出现在未来的迷你型数码产品中，甚至还有可能取代CD、VCD或DVD等存储媒介，成为主流的信息传播载体。 目前，闪存已经在数码相机及其他消费电子产品中得到了广泛的应用，成为这些产品的标准配置。这些常见的Flash内存大多属于NAND类型闪存，外观上一般以CompactFlash卡、SmartMedia卡等智能卡的形式出现。 闪存的历史并不长，屈指算来，从其首次正式同消费者们见面到现在也只有短短的10年时间。闪存甫一问世，其神奇的特性就赢得了广泛的赞誉。作为一种新型的EEPROM内存（电可擦可写可编程只读内存），闪存不仅具有RAM内存可擦可写可编程的优点，而且所写入的数据在断电后不会消失。由于所具有的这种神奇特性，从诞生之后起，以CompactFlash卡、SmartMedia卡等统一标准形式封装的闪存就成了PDA、数码相机、音乐播放器等电子产品的最佳伴侣。 虽然非常实用，但闪存也有一个致命的缺点 —— 制造成本太高。和RAM内存的制造成本相比，闪存的生产成本要高出许多。制造成本太高的原因，决定了消费型闪存的容量大多只有32M或者64M。容量太小也就成了闪存的另一个缺点。此外，目前应用最广泛的NAND类型闪存在写入数据时，其速度比磁媒介和光学媒介的数据写入速度都要慢。 不过，随着技术的发展，各种更便宜、更快的闪存产品也许在不久的将来就会出现在用户的面前供他们选择。目前，闪存工业正在努力研究闪存新技术以提高闪存的性能，并试验各种新的生产工艺以降低闪存的制造成本，希望能够将闪存的制造成本降低到足于同RAM内存竞争的水平，并取代后者成为用户的大容量内部数据存储媒介的第一选择，甚至最终取代DVD等光学媒介成为电影及其他大容量媒体文件的主流载体。美国Semico市场调研公司分析家Rich Wawrzyniak认为，就使用成本而言，闪存载体将比今天的DVD光盘还更便宜，因为闪存具有可擦可写以及数据断电后不消失的特性，不象RAM内存那样需要不间断的电源，而且也不象CD、VCD、DVD光盘等一次性媒介那样浪费资源。 降低闪存生产成本的关键在于往同样面积大小的硅基板中“挤”入数量更多的晶体管。例如，在闪存制造领域居于领先地位的东芝（美国）电子元件公司已经开始试验采用0.16微米生产工艺生产256M和512M的闪存芯片。和现有的0.20微米制造工艺相比，用0.16微米工艺生产出的晶体管体积自然更小，同样面积大小的硅基板也就可以容纳更多的晶体管。除了容量上的突破外，另据东芝公司发言人介绍，到今年年底，该公司将生产出性能比现有产品高5倍，数据写入速度高达每秒10M的闪存产品；预计到明年还将采用0.13微米生产工艺，并利用可在同一内存单元储存2位数的多层单元技术实现闪存的容量翻番。 据东芝（美国）电子元件公司闪存产品事业部研发组主管Kevin Kilbuck介绍，闪存工业的种种努力的最显著效果就是闪存产品的价格从去年到现在几乎下降了整整一半。目前，闪存的价格大约为每兆1美元出头一点；64M闪存的零售价格目前大约在50美元至100美元之间。到2005，闪存的价格将降低到现有水平的1/4甚至更低。Kevin Kilbuck还表示，该公司可能将在不久之后推出Gb级容量的闪存产品。不过他同时也承认，初面世的Gb级容量闪存的性能相对较低，其数据写入速度只有每秒2M，而不是32M或64M等小容量闪存已经实现的每秒10M。 除了常见的NAND类型闪存外，科学家和研究人员们还正在抓紧研究各种其他类型的闪存产品。例如，使用铁电材料储存数据的FRAM闪存（铁电材料RAM）就是其中的一种。据FRAM闪存的专利所有人—— 美国Ramtron国际有限公司的介绍，FRAM闪存的数据访问速度同RAM内存相比毫不逊色。另外，使用磁介质而非电介质储存数据的MRAM闪存也引起了人们的广泛关注和高度重视，目前已经有许多公司宣布支持MRAM闪存标准，其中就包括大名鼎鼎的IBM公司和主要内存制造商之一的慕尼黑Infineon技术公司。 据Infineon技术公司发言人Matt Schmidt介绍，预计FRAM闪存明年夏天就能同消费者见面，而MRAM闪存进入实用阶段则会稍迟些，大约要等到2004年。 东芝公司的竞争对手，诸如三星、富士通及其他半导体工业公司也正紧锣密鼓加快各种闪存新技术的研究工作，以图研制出性价比更高的闪存产品。
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